> Produk > Padet Propinsi High Frequency Welder > SiC-MOSFET padet Propinsi High Frequency pipe Welder

Produk

Produk Anyar

SiC-MOSFET padet Propinsi High Frequency pipe Welder

SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder ngadopsi bahan semikonduktor generasi katilu pikeun tinimbang mosfet tube mosfet normal tegangan low.Mosfet SiC gaduh suhu High sareng resistensi tekanan tinggi.Mosfet SiC utamina dianggo dina papan modul kakuatan. dina kaayaan padet welder pipe frékuénsi luhur.

Kirim Pananya

Panjelasan Produk

Salaku téhnologi ningkat, nembe keur welder frékuénsi luhur solid state adopts bahan semikonduktor generasi katilu disebut SiC-MOSFET.

SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder

Bahan Semikonduktor Generasi Katilu SiC-MOSFET Karakteristik Kinerja

1. Suhu luhur sarta lalawanan tekanan tinggi: SiC boga gap band lega ngeunaan 3 kali ti Si, ku kituna bisa ngawujudkeun alat kakuatan nu bisa beroperasi stably sanajan dina kaayaan suhu luhur. Kakuatan médan ngarecahna insulasi SiC nyaéta 10 kali langkung ti Si, ku kituna mungkin pikeun nyiptakeun alat kakuatan tegangan tinggi kalayan konsentrasi doping anu langkung luhur sareng lapisan drift ketebalan pilem anu langkung tipis dibandingkeun sareng alat Si.

2. Alat miniaturization na lightweight: Alat Silicon carbide gaduh konduktivitas termal luhur jeung dénsitas kakuatan, nu bisa simplify sistem dissipation panas, ku kituna pikeun ngahontal miniaturization alat jeung lightweight.

3. Karugian lemah sareng frékuénsi luhur: Frékuénsi kerja alat karbida silikon tiasa ngahontal 10 kali tina alat dumasar-silikon, sareng efisiensi henteu turun kalayan paningkatan frekuensi kerja, anu tiasa ngirangan leungitna énergi ampir 50%; Dina waktos anu sami, kusabab kanaékan frékuénsi, volume komponén periferal sapertos induktansi sareng trafo diréduksi, sareng biaya volume sareng komponén sanésna saatos komposisi sistem dikirangan.

SiC-MOSFET Solid State High Frequency Pipe Welder Kauntungannana

1.60% leungitna leuwih handap alat Si-MOSFET, efisiensi inverter welder naek leuwih ti 10%, efisiensi las naek leuwih ti 5%.

2.Single SiC-MOSFET kapadetan kakuatan badag, kuantitas dirakit diréduksi sasuai, nu langsung ngurangan titik sesar jeung radiasi éléktromagnétik éksternal, sarta ngaronjatkeun reliabiliti Unit kakuatan inverter.

3.SiC-MOSFET tahan tegangan leuwih luhur ti aslina Si-MOSFET, welder DC dipeunteun tegangan geus ngaronjat sasuai dina premis of mastikeun kaamanan (280VDC pikeun welder resonant paralel na 500VDC pikeun runtuyan resonant welder) . Faktor kakuatan sisi grid ≥ 0.94 .

4.New SiC-MOSFET leungitna alat ngan 40% tina Si-MOSFET, dina kaayaan cooling tangtu, switching frékuénsi bisa leuwih luhur, runtuyan resonant Si-MOSFET welder adopts téhnologi duka kali frékuénsi, adopts SiC-MOSFET bisa langsung ngarancang jeung pabrik nepi ka 600KHz frékuénsi luhur welder.

5.New SiC-MOSFET welder tegangan DC naek, faktor kakuatan sisi grid tinggi, arus AC leutik, arus harmonis leutik, ongkos customer ngeunaan catu daya jeung distribusi ieu greatly ngurangan, sarta efisiensi catu daya ieu éféktif ningkat.